新民晚报讯(记者姜燕)日前，由中国国家博物馆和三星堆博物馆联合主办的“吉金铸史——青铜器里的古代中国”展览在三星堆博物馆开展。这是三星堆博物馆新馆开放后的首个特展。图说：展览现场国家博物馆供图本次展览展出的160余件青铜器充分体现国家博物馆青铜器藏品时间跨后面会介绍。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“数字全息显微镜及使用其的检查方法和半导体制造方法“授权公告号CN110554005B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，提供了一种能够在高分辨率下精确检查检查对象的同时执行高速检查的低成说完了。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 4 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， san xing dian zi zhu shi hui she qu de yi xiang ming wei “ shu zi quan xi xian wei jing ji shi yong qi de jian zha fang fa he ban dao ti zhi zao fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 1 0 5 5 4 0 0 5 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 9 nian 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ti gong le yi zhong neng gou zai gao fen bian lv xia jing que jian zha jian zha dui xiang de tong shi zhi xing gao su jian zha de di cheng shuo wan le 。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“垂直存储器装置及其制造方法”专利，授权公告号CN110610944B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，提供了一种垂直存储器装置及其制造方法，所述垂直存储器装置包括：基底，具有沟槽结构；栅电极，位好了吧！
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN110649020B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一栅电极层，所述第后面会介绍。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体装置“的专利，授权公告号CN110556361B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆等会说。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法“授权公告号CN109712974B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，提供了一种产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法，所述产生布局的方法包等会说。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路装置及其形成方法“授权公告号CN110265394B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本发明提供了一种集成电路装置及其形成方法。所述集成电路(IC)装置包括：在衬底上沿着第一方向彼此后面会介绍。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109904161B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示，公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填等会说。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于无线通信系统中的通信的方法和装置“授权公告号CN110612739B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，本公开涉及用于将支持超出第四代(4G)系统的更高数据速率的第五代(5G)通信系统与物联好了吧！
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“存储器装置及针对潜伏控制操作存储器装置的方法“授权公告号CN109767795B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示，一种存储器装置和用于潜伏控制的操作方法，其中，在初始化模式下，划分具有第一好了吧！
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