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锑化铟磁阻传感器实验报告,铅锑精矿实验报告

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仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件的特点:灵敏度高、抗干扰能力强。在众多的磁阻器件中,锑化铟(InSb)传感器最为典型,它是一种价格低廉、灵敏度 高的磁阻器

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曲阜师范大学实验报告实验日期:2020.5.23实验时间:8:3012:00名称:防小分学号:实验专题:锑化铟磁阻特性的测定一实验目的: 1.了解霍尔测试仪霍尔试验机等电磁学仪器的结构

(5)双击打开霍尔试验仪,调整锑化铟片至匀称磁场处,如下列图所示:锑化铟电阻值〔Ω〕 磁阻传感器的电阻阻值。因此也可以用磁阻传感器电阻的相对转变量Δ 如图 1所示,当导

实验仪器 FD-MR-Ⅱ型磁阻效应实验仪直流双路恒电源、 02V直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪、锑化铟磁阻传感器、双向单刀开关电阻箱、正弦交流低频发生器及导线

实验内容及步骤 1.在锑化铟磁阻传感器电流或电压保持不变的条件下,测量锑化铟磁阻传 数据分析报告规章制度撰写可行性分析 论文写作辅导技术报告专业稿件 招标文件标书

锑化铟磁阻传感器的特性测量1.实验沿革新型锑化铟磁阻传感器是一种灵敏度相当高且抗干扰能力极强的磁敏器件,是一种常用磁阻传感器。磁阻器件的种类很多,它可分为正常磁电阻、各向异性磁电阻、特大磁电阻、巨磁电阻和隧道磁电阻等,其中正常磁电阻应用十分广泛。.实验目的与要求(1)学习和掌握正

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